K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WC-BCWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WC-BCPB بواسطة Samsung Electronics و K4A8G165WC-BCWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $38.00 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| معدل البيانات | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 3200 Mbps |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| الواجهة | DDR4 (16-bit data bus) | Differential (CK, /CK) |
| العلبة | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-FBGA |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | — |
| الميزات | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| التنظيم | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to +95°C |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |