K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WC-BCWE So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G165WC-BCPB bằng Samsung Electronics và K4A8G165WC-BCWE bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4A8G165WC-BCPB ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA
K4A8G165WC-BCWE ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | — | $38,00 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Tốc độ dữ liệu | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 3200 Mbps |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Giao diện | DDR4 (16-bit data bus) | Differential (CK, /CK) |
| Hộp | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-FBGA |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +95C | — |
| Tính năng | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Tổ chức | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | 0°C to +95°C |
| Latency CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |