K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WC-BCWE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WC-BCPB নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G165WC-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4A8G165WC-BCPB ✓ সক্রিয়Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA
K4A8G165WC-BCWE ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $38.00 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| ডেটা রেট | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 3200 Mbps |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| ইন্টারফেস | DDR4 (16-bit data bus) | Differential (CK, /CK) |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-FBGA |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +95C | — |
| বৈশিষ্ট্য | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| সংগঠন | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | 0°C to +95°C |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |