K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WC-BCWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WC-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WC-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $38.00 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| ڈیٹا ریٹ | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 3200 Mbps |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| انٹرفیس | DDR4 (16-bit data bus) | Differential (CK, /CK) |
| پیکیج | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-FBGA |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | — |
| خصوصیات | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| تنظیم | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | 0°C to +95°C |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |