K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WC-BCWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WC-BCPB מאת Samsung Electronics ו K4A8G165WC-BCWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $38.00 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| קצב נתונים | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 3200 Mbps |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| ממשק | DDR4 (16-bit data bus) | Differential (CK, /CK) |
| מארז | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-FBGA |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C | — |
| תכונות | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| ארגון | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | 0°C to +95°C |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |