K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WC-BCWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WC-BCPB توسط Samsung Electronics و K4A8G165WC-BCWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $38.00 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| نرخ داده | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 3200 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| رابط | DDR4 (16-bit data bus) | Differential (CK, /CK) |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-FBGA |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | 0C to +95C | — |
| ویژگی‌ها | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| سازمان | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| محدوده دمای کاری | — | 0°C to +95°C |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |