K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646D-BFMA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BCMA0 بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646D-BFMA بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ انتهى عمره الإنتاجيمقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نهاية العمر الإنتاجي | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| معدل البيانات | 1866 Mbps | 1866 Mbps |
| جهد التغذية | 1.5 V | 1.5V |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 85°C | — |
| العلبة | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| حالة دورة الحياة | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| زمن الوصول CAS | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |