K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646D-BFMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BCMA0 द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646D-BFMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ जीवन की समाप्तिविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | उत्पादन बंद | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा दर | 1866 Mbps | 1866 Mbps |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.5 V | 1.5V |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 85°C | — |
| पैकेज | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| लाइफसाइकिल स्थिति | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS लेटेंसी | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |