K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646D-BFMA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BCMA0 توسط Samsung Electronics و K4B4G1646D-BFMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ پایان تولیدمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | پایان عمر محصول | فعال |
| نوع حافظه | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نرخ داده | 1866 Mbps | 1866 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.5 V | 1.5V |
| دمای کاری | 0°C to 85°C | — |
| بسته‌بندی | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| وضعیت چرخه عمر | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| تأخیر CAS | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |