K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646D-BFMA השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BCMA0 מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646D-BFMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ סוף ייצורהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | סוף חיים | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| קצב נתונים | 1866 Mbps | 1866 Mbps |
| מתח אספקה | 1.5 V | 1.5V |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 85°C | — |
| מארז | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| סטטוס מחזור חיים | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| השהיית CAS | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| Lead-Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |