K4B4G1646D-BYMA0 vs MT41K256M16TW-107 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BYMA0 بواسطة Samsung Electronics و MT41K256M16TW-107 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BYMA0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $14.10 |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35 V |
| معدل البيانات | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | Yes |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| Data Mask | Supported | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gbit |
| الواجهة | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bit |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| حالة RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |