K4B4G1646D-BYMA0 vs MT41K256M16TW-107 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646D-BYMA0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics at MT41K256M16TW-107 sa pamamagitan ng Micron Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ Nakahanda
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646D-BYMA0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $14.10 |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35 V |
| Rate ng Data | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| Packhaging | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | Yes |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| Data Mask | Supported | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| Laki ng Memory | — | 4 Gbit |
| Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Width ng Data Bus | — | 16 bit |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Temperature na Operasyon | — | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Tindminan RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Level ng MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |