K4B4G1646D-BYMA0 vs MT41K256M16TW-107 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BYMA0 بذریعہ Samsung Electronics اور MT41K256M16TW-107 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BYMA0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $14.10 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | Yes |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| Data Mask | Supported | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| میموری سائز | — | 4 Gbit |
| انٹرفیس | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| ڈیٹا بس چوڑائی | — | 16 bit |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS اسٹیٹس | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |