K4B4G1646E-BYMA vs IS43TR16256AL-125KBL مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646E-BYMA بواسطة Samsung Electronics و IS43TR16256AL-125KBL بواسطة ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646E-BYMA | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $14.32 | — |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | — |
| جهد التغذية | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| معدل البيانات | 1866 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C | 0°C ~ 95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| العلبة | FBGA-96 | 96-TWBGA (9x13mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| حجم الذاكرة | — | 4Gbit (256M x 16) |
| الواجهة | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |