K4B4G1646E-BYMA vs IS43TR16256AL-125KBL השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics ו IS43TR16256AL-125KBL מאת ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646E-BYMA | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $14.32 | — |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | — |
| מתח אספקה | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| קצב נתונים | 1866 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C | 0°C ~ 95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| מארז | FBGA-96 | 96-TWBGA (9x13mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| מספר פינים | 96 | — |
| גודל זיכרון | — | 4Gbit (256M x 16) |
| ממשק | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |