K4B4G1646E-BYMA vs IS43TR16256AL-125KBL موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics اور IS43TR16256AL-125KBL بذریعہ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BYMA | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $14.32 | — |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| تنظیم | 256M x 16 | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +95°C | 0°C ~ 95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| پیکیج | FBGA-96 | 96-TWBGA (9x13mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| میموری سائز | — | 4Gbit (256M x 16) |
| انٹرفیس | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |