K4B4G1646E-BYMA vs IS43TR16256AL-125KBL Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung Electronics ve IS43TR16256AL-125KBL tarafından ISSI, Integrated Silicon Solution IncAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646E-BYMA | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | $14,32 | — |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Veri Hızı | 1866 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to +95°C | 0°C ~ 95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Paket | FBGA-96 | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| CAS Gecikme | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Pin Sayısı | 96 | — |
| Bellek Boyutu | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Arayüz | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |