K9F4G08U0B-PCB0 vs MX30LF4GE8AB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K9F4G08U0B-PCB0 بواسطة Samsung Electronics و MX30LF4GE8AB بواسطة Macronix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K9F4G08U0B-PCB0 - 4Gbit NAND Flash, 3.3V TSOP-48 | Samsung
K9F4G08U0B-PCB0 ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | K9F4G08U0B-PCB0 | MX30LF4GE8AB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Macronix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NAND Flash (SLC, asynchronous) | NAND Flash (SLC) |
| Density | 4 Gbit (512 MB) | 4 Gbit (512 M x 8) |
| التنظيم | (512M + 16M) x 8 bit | — |
| Page Size | (2 K + 64) byte | 2112 bytes (2048 + 64 spare) |
| Block Size | (128 K + 4 K) byte | 64 pages (128 KB + 4 KB spare) |
| Data Register | (2K + 64) x 8 bit | — |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| الواجهة | 8-bit multiplexed NAND I/O | Parallel (asynchronous) |
| العلبة | TSOP1-48 (12 mm x 20 mm, lead-free) | 48-pin TSOP Type-I (48-TSOP) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (commercial) | 0C to +70C | — |
| Program/Erase | Automatic, on-chip page buffer | — |
| ECC Requirement | External (1-bit/512B minimum, 4-bit recommended) | — |
| حالة RoHS | Lead-free (Pb-free), RoHS compliant | Compliant |
| Package Suffix Code | -PCB0 (TSOP1, 3.3 V, commercial, lead-free) | — |
| Operating Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Access Time | — | 20 ns |
| Bus Width | — | 8-bit (multiplexed I/O) |
| Standard Compliance | — | ONFI 1.0 |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: P/E endurance cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40C to +85C (industrial) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Status Polling | — | R/B# open-drain output |