K9F4G08U0B-PCB0 vs MX30LF4GE8AB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K9F4G08U0B-PCB0 द्वारा Samsung Electronics और MX30LF4GE8AB द्वारा Macronix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K9F4G08U0B-PCB0 - 4Gbit NAND Flash, 3.3V TSOP-48 | Samsung
K9F4G08U0B-PCB0 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K9F4G08U0B-PCB0 | MX30LF4GE8AB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Macronix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NAND Flash (SLC, asynchronous) | NAND Flash (SLC) |
| Density | 4 Gbit (512 MB) | 4 Gbit (512 M x 8) |
| संगठन | (512M + 16M) x 8 bit | — |
| Page Size | (2 K + 64) byte | 2112 bytes (2048 + 64 spare) |
| Block Size | (128 K + 4 K) byte | 64 pages (128 KB + 4 KB spare) |
| Data Register | (2K + 64) x 8 bit | — |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| इंटरफ़ेस | 8-bit multiplexed NAND I/O | Parallel (asynchronous) |
| पैकेज | TSOP1-48 (12 mm x 20 mm, lead-free) | 48-pin TSOP Type-I (48-TSOP) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (commercial) | 0C to +70C | — |
| Program/Erase | Automatic, on-chip page buffer | — |
| ECC Requirement | External (1-bit/512B minimum, 4-bit recommended) | — |
| RoHS स्थिति | Lead-free (Pb-free), RoHS compliant | Compliant |
| Package Suffix Code | -PCB0 (TSOP1, 3.3 V, commercial, lead-free) | — |
| Operating Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Access Time | — | 20 ns |
| Bus Width | — | 8-bit (multiplexed I/O) |
| Standard Compliance | — | ONFI 1.0 |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: P/E endurance cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40C to +85C (industrial) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Status Polling | — | R/B# open-drain output |