K9QDGB8U7M vs K9MDG08U5M مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K9QDGB8U7M بواسطة Samsung Electronics و K9MDG08U5M بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K9QDGB8U7M K9QDGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9QDGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9QDGB8U7M Unknown
Samsung Electronics
K9MDG08U5M K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K9QDGB8U7M K9MDG08U5M
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة Unknown نشط
Manufacturer Samsung Electronics —
Product Family K9 NAND Flash —
نوع الذاكرة NAND Flash MLC Large Block NAND Flash
Density [DATA_NEEDED: Density] 16 Gbit (2 GB)
التنظيم [DATA_NEEDED: Organization] 16G x 8 bit
نوع الواجهة [DATA_NEEDED: Interface Type] —
جهد التغذية [DATA_NEEDED: Supply Voltage] —
Page Size [DATA_NEEDED: Page Size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: Block Size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] —
Read Latency [DATA_NEEDED: Read Latency] —
Package Type BGA (surface mount) —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] unknown
Cell Type — MLC (2 bits per cell)
Supply Voltage Min — 2.7 V
Supply Voltage Max — 3.6 V
الواجهة — Asynchronous x8 multiplexed address/data
العلبة — 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm
Terminals — 48
Circuits — 1
Die Configuration — Dual stacked
Page Read Time (tR) — [DATA_NEEDED: tR]
Program Time (tPROG) — [DATA_NEEDED: tPROG]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر