K9QDGB8U7M vs K9MDG08U5M Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K9QDGB8U7M tarafından Samsung Electronics ve K9MDG08U5M tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K9QDGB8U7M K9QDGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9QDGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9QDGB8U7M Unknown
Samsung Electronics
K9MDG08U5M K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K9QDGB8U7M K9MDG08U5M
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Unknown Aktif
Manufacturer Samsung Electronics —
Product Family K9 NAND Flash —
Bellek Türü NAND Flash MLC Large Block NAND Flash
Density [DATA_NEEDED: Density] 16 Gbit (2 GB)
Organizasyon [DATA_NEEDED: Organization] 16G x 8 bit
Arayüz Türü [DATA_NEEDED: Interface Type] —
Besleme Gerilimi [DATA_NEEDED: Supply Voltage] —
Page Size [DATA_NEEDED: Page Size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: Block Size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] —
Read Latency [DATA_NEEDED: Read Latency] —
Package Type BGA (surface mount) —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS Status] unknown
Cell Type — MLC (2 bits per cell)
Supply Voltage Min — 2.7 V
Supply Voltage Max — 3.6 V
Arayüz — Asynchronous x8 multiplexed address/data
Paket — 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm
Terminals — 48
Circuits — 1
Die Configuration — Dual stacked
Page Read Time (tR) — [DATA_NEEDED: tR]
Program Time (tPROG) — [DATA_NEEDED: tPROG]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin