K9QDGB8U7M vs K9MDG08U5M तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K9QDGB8U7M द्वारा Samsung Electronics और K9MDG08U5M द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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K9QDGB8U7M K9QDGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9QDGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9QDGB8U7M Unknown
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K9MDG08U5M K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K9QDGB8U7M K9MDG08U5M
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति Unknown सक्रिय
Manufacturer Samsung Electronics —
Product Family K9 NAND Flash —
मेमोरी प्रकार NAND Flash MLC Large Block NAND Flash
Density [DATA_NEEDED: Density] 16 Gbit (2 GB)
संगठन [DATA_NEEDED: Organization] 16G x 8 bit
इंटरफ़ेस प्रकार [DATA_NEEDED: Interface Type] —
सप्लाई वोल्टेज [DATA_NEEDED: Supply Voltage] —
Page Size [DATA_NEEDED: Page Size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: Block Size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] —
Read Latency [DATA_NEEDED: Read Latency] —
Package Type BGA (surface mount) —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS Status] unknown
Cell Type — MLC (2 bits per cell)
Supply Voltage Min — 2.7 V
Supply Voltage Max — 3.6 V
इंटरफ़ेस — Asynchronous x8 multiplexed address/data
पैकेज — 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm
Terminals — 48
Circuits — 1
Die Configuration — Dual stacked
Page Read Time (tR) — [DATA_NEEDED: tR]
Program Time (tPROG) — [DATA_NEEDED: tPROG]

डेटाशीट और संसाधन

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