K9QDGB8U7M vs K9MDG08U5M So sánh

So sánh chi tiết song song của K9QDGB8U7M bằng Samsung Electronics và K9MDG08U5M bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K9QDGB8U7M K9QDGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9QDGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9QDGB8U7M Unknown
Samsung Electronics
K9MDG08U5M K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K9QDGB8U7M K9MDG08U5M
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Unknown Hoạt động
Manufacturer Samsung Electronics —
Product Family K9 NAND Flash —
Kiểu bộ nhớ NAND Flash MLC Large Block NAND Flash
Density [DATA_NEEDED: Density] 16 Gbit (2 GB)
Tổ chức [DATA_NEEDED: Organization] 16G x 8 bit
Loại giao diện [DATA_NEEDED: Interface Type] —
Điện áp cung cấp [DATA_NEEDED: Supply Voltage] —
Page Size [DATA_NEEDED: Page Size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: Block Size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] —
Read Latency [DATA_NEEDED: Read Latency] —
Package Type BGA (surface mount) —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] unknown
Cell Type — MLC (2 bits per cell)
Supply Voltage Min — 2.7 V
Supply Voltage Max — 3.6 V
Giao diện — Asynchronous x8 multiplexed address/data
Hộp — 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm
Terminals — 48
Circuits — 1
Die Configuration — Dual stacked
Page Read Time (tR) — [DATA_NEEDED: tR]
Program Time (tPROG) — [DATA_NEEDED: tPROG]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá