M29F200FT55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F200FT55M3F2 بواسطة Micron Technology و M29F800FT55M3E2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive
M29F200FT55M3F2 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | M29F200FT55M3F2 | M29F800FT55M3E2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | EEPROM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | Parallel NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 8389 kbits |
| التنظيم | 256K x 8 / 128K x 16 | 512K x 16 bit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| Programming Interface | Embedded program/erase controller, byte or word | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Automotive Qualification | Yes | — |
| العلبة | 44-pin SO (TSOP) | 44-SO (SOP) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Number of Words (x16 mode) | 128 K | — |
| Bits per Word (x16 mode) | 16 bits | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (E suffix) |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Mbit |
| الواجهة | — | Parallel |
| جهد التغذية | — | 5 V |
| Boot Block Location | — | Top boot block |
| Program/Erase Cycles | — | 100,000 per block |
| Program Algorithm | — | Embedded byte/word program |
| Erase Features | — | Erase suspend and resume |
| Standby Mode | — | Automatic standby, low power |
| Identification | — | Electronic signature |