M29F200FT55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29F200FT55M3F2 توسط Micron Technology و M29F800FT55M3E2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29F200FT55M3F2 M29F800FT55M3E2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs EEPROM
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه Parallel NOR Flash NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 8389 kbits
سازمان 256K x 8 / 128K x 16 512K x 16 bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
دمای کاری -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes —
بسته‌بندی 44-pin SO (TSOP) 44-SO (SOP)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E suffix)
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
اندازه حافظه — 8 Mbit
رابط — Parallel
ولتاژ تغذیه — 5 V
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت