M29F200FT55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F200FT55M3F2 द्वारा Micron Technology और M29F800FT55M3E2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive
M29F200FT55M3F2 ✓ सक्रियMicron Technology
M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron
M29F800FT55M3E2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29F200FT55M3F2 | M29F800FT55M3E2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | EEPROM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | Parallel NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 8389 kbits |
| संगठन | 256K x 8 / 128K x 16 | 512K x 16 bit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| Programming Interface | Embedded program/erase controller, byte or word | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Automotive Qualification | Yes | — |
| पैकेज | 44-pin SO (TSOP) | 44-SO (SOP) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Number of Words (x16 mode) | 128 K | — |
| Bits per Word (x16 mode) | 16 bits | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (E suffix) |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| मेमोरी आकार | — | 8 Mbit |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 5 V |
| Boot Block Location | — | Top boot block |
| Program/Erase Cycles | — | 100,000 per block |
| Program Algorithm | — | Embedded byte/word program |
| Erase Features | — | Erase suspend and resume |
| Standby Mode | — | Automatic standby, low power |
| Identification | — | Electronic signature |