M29F200FT55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 So sánh

So sánh chi tiết song song của M29F200FT55M3F2 bằng Micron Technology và M29F800FT55M3E2 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29F200FT55M3F2 M29F800FT55M3E2
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs EEPROM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ Parallel NOR Flash NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 8389 kbits
Tổ chức 256K x 8 / 128K x 16 512K x 16 bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes —
Hộp 44-pin SO (TSOP) 44-SO (SOP)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E suffix)
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Kích thước bộ nhớ — 8 Mbit
Giao diện — Parallel
Điện áp cung cấp — 5 V
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá