M29F200FT55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F200FT55M3F2 tarafından Micron Technology ve M29F800FT55M3E2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F200FT55M3F2 M29F800FT55M3E2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs EEPROM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü Parallel NOR Flash NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 8389 kbits
Organizasyon 256K x 8 / 128K x 16 512K x 16 bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes —
Paket 44-pin SO (TSOP) 44-SO (SOP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E suffix)
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Bellek Boyutu — 8 Mbit
Arayüz — Parallel
Besleme Gerilimi — 5 V
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin