M29F800FT55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F800FT55M3F2 بواسطة Micron Technology و M29F800FT55M3E2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29F800FT55M3F2 | M29F800FT55M3E2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | EEPROM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | Parallel NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 8 Mbit (8389 kbits) | 8389 kbits |
| التنظيم | 512K x 16 / 1M x 8 | 512K x 16 bit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block Position | Top boot block | — |
| Programming Interface | Embedded program/erase controller | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | -40C to +125C |
| العلبة | 44-pin SO (SOP) | 44-SO (SOP) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| الواجهة | Parallel, x8/x16 selectable | Parallel |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| حالة RoHS | Compliant (lead-free suffix F2) | Compliant (E suffix) |
| حجم الذاكرة | — | 8 Mbit |
| جهد التغذية | — | 5 V |
| Boot Block Location | — | Top boot block |
| Program/Erase Cycles | — | 100,000 per block |
| Program Algorithm | — | Embedded byte/word program |
| Erase Features | — | Erase suspend and resume |
| Standby Mode | — | Automatic standby, low power |
| Identification | — | Electronic signature |