M29F800FT55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FT55M3F2 tarafından Micron Technology ve M29F800FT55M3E2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3E2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs EEPROM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü Parallel NOR Flash NOR Flash
Density 8 Mbit (8389 kbits) 8389 kbits
Organizasyon 512K x 16 / 1M x 8 512K x 16 bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Position Top boot block —
Programming Interface Embedded program/erase controller —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Paket 44-pin SO (SOP) 44-SO (SOP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Arayüz Parallel, x8/x16 selectable Parallel
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
RoHS Durumu Compliant (lead-free suffix F2) Compliant (E suffix)
Bellek Boyutu — 8 Mbit
Besleme Gerilimi — 5 V
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin