M29F800FT55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار M29F800FT55M3F2 توسط Micron Technology و M29F800FT55M3E2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FT55M3F2 ✓ فعالMicron Technology
M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron
M29F800FT55M3E2 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | M29F800FT55M3F2 | M29F800FT55M3E2 |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | EEPROM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | Parallel NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 8 Mbit (8389 kbits) | 8389 kbits |
| سازمان | 512K x 16 / 1M x 8 | 512K x 16 bit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block Position | Top boot block | — |
| Programming Interface | Embedded program/erase controller | — |
| دمای کاری | -40C to +125C | -40C to +125C |
| بسته‌بندی | 44-pin SO (SOP) | 44-SO (SOP) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| رابط | Parallel, x8/x16 selectable | Parallel |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (lead-free suffix F2) | Compliant (E suffix) |
| اندازه حافظه | — | 8 Mbit |
| ولتاژ تغذیه | — | 5 V |
| Boot Block Location | — | Top boot block |
| Program/Erase Cycles | — | 100,000 per block |
| Program Algorithm | — | Embedded byte/word program |
| Erase Features | — | Erase suspend and resume |
| Standby Mode | — | Automatic standby, low power |
| Identification | — | Electronic signature |