M29F800FT55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F800FT55M3F2 द्वारा Micron Technology और M29F800FT55M3E2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FT55M3F2 ✓ सक्रियMicron Technology
M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron
M29F800FT55M3E2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29F800FT55M3F2 | M29F800FT55M3E2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | EEPROM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | Parallel NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 8 Mbit (8389 kbits) | 8389 kbits |
| संगठन | 512K x 16 / 1M x 8 | 512K x 16 bit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block Position | Top boot block | — |
| Programming Interface | Embedded program/erase controller | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | -40C to +125C |
| पैकेज | 44-pin SO (SOP) | 44-SO (SOP) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel, x8/x16 selectable | Parallel |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free suffix F2) | Compliant (E suffix) |
| मेमोरी आकार | — | 8 Mbit |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 5 V |
| Boot Block Location | — | Top boot block |
| Program/Erase Cycles | — | 100,000 per block |
| Program Algorithm | — | Embedded byte/word program |
| Erase Features | — | Erase suspend and resume |
| Standby Mode | — | Automatic standby, low power |
| Identification | — | Electronic signature |