M29W128GH70N3E vs M29W064FT70N3E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W128GH70N3E بواسطة Micron Technology و M29W064FT70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29W128GH70N3E | M29W064FT70N3E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| حجم الذاكرة | 128 Mbit (16 MB) | — |
| التنظيم | 8M x 16 / 16M x 8 | 8 Mb x8 or 4 Mb x16 |
| الواجهة | Parallel (asynchronous) | Parallel, CFI compliant |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| جهد التغذية | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | -40C to +85C |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| العلبة | 56-TSOP | 48-TSOP |
| Number of Terminals | 56 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عرض ناقل البيانات | 16 bit (byte/word selectable) | — |
| Memory Density | 131072 kbit | — |
| Programming | Command-sequence program/erase with status polling | — |
| Application Segment | Automotive / Industrial code storage | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Density | — | 64 Mbit |
| Boot Block Architecture | — | Top boot block (FT) |
| Programming Voltage | — | Single 3 V supply (no separate VPP required) |
| Erase/Program Method | — | Command-set page programming, block erase |
| Product Longevity Program | — | No |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: active read supply current] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |