M29W128GH70N3E vs M29W064FT70N3E Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W128GH70N3E tarafından Micron Technology ve M29W064FT70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | M29W128GH70N3E | M29W064FT70N3E |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| Bellek Boyutu | 128 Mbit (16 MB) | — |
| Organizasyon | 8M x 16 / 16M x 8 | 8 Mb x8 or 4 Mb x16 |
| Arayüz | Parallel (asynchronous) | Parallel, CFI compliant |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Besleme Gerilimi | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| İşletim Sıcaklığı | -40C to +125C | -40C to +85C |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| Paket | 56-TSOP | 48-TSOP |
| Number of Terminals | 56 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Veri Bus Genişliği | 16 bit (byte/word selectable) | — |
| Memory Density | 131072 kbit | — |
| Programming | Command-sequence program/erase with status polling | — |
| Application Segment | Automotive / Industrial code storage | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Density | — | 64 Mbit |
| Boot Block Architecture | — | Top boot block (FT) |
| Programming Voltage | — | Single 3 V supply (no separate VPP required) |
| Erase/Program Method | — | Command-set page programming, block erase |
| Product Longevity Program | — | No |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: active read supply current] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |