M29W128GH70N3E vs M29W064FT70N3E তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29W128GH70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29W064FT70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W064FT70N3E ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | M29W128GH70N3E | M29W064FT70N3E |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| মেমরি সাইজ | 128 Mbit (16 MB) | — |
| সংগঠন | 8M x 16 / 16M x 8 | 8 Mb x8 or 4 Mb x16 |
| ইন্টারফেস | Parallel (asynchronous) | Parallel, CFI compliant |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40C to +125C | -40C to +85C |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| প্যাকেজ | 56-TSOP | 48-TSOP |
| Number of Terminals | 56 | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| ডেটা বাস প্রস্থ | 16 bit (byte/word selectable) | — |
| Memory Density | 131072 kbit | — |
| Programming | Command-sequence program/erase with status polling | — |
| Application Segment | Automotive / Industrial code storage | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Density | — | 64 Mbit |
| Boot Block Architecture | — | Top boot block (FT) |
| Programming Voltage | — | Single 3 V supply (no separate VPP required) |
| Erase/Program Method | — | Command-set page programming, block erase |
| Product Longevity Program | — | No |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: active read supply current] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |