M29W128GH70N3E vs M29W064FT70N3E مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار M29W128GH70N3E توسط Micron Technology و M29W064FT70N3E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | M29W128GH70N3E | M29W064FT70N3E |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| اندازه حافظه | 128 Mbit (16 MB) | — |
| سازمان | 8M x 16 / 16M x 8 | 8 Mb x8 or 4 Mb x16 |
| رابط | Parallel (asynchronous) | Parallel, CFI compliant |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| ولتاژ تغذیه | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| دمای کاری | -40C to +125C | -40C to +85C |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| بسته‌بندی | 56-TSOP | 48-TSOP |
| Number of Terminals | 56 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| عرض گذرگاه داده | 16 bit (byte/word selectable) | — |
| Memory Density | 131072 kbit | — |
| Programming | Command-sequence program/erase with status polling | — |
| Application Segment | Automotive / Industrial code storage | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Density | — | 64 Mbit |
| Boot Block Architecture | — | Top boot block (FT) |
| Programming Voltage | — | Single 3 V supply (no separate VPP required) |
| Erase/Program Method | — | Command-set page programming, block erase |
| Product Longevity Program | — | No |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: active read supply current] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |