MMA1250EGR2 vs MMA1260EGR2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MMA1250EGR2 بواسطة NXP Semiconductors و MMA1260EGR2 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MMA1250EGR2 MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250EGR2 ⚠ آخر فرصة للشراء

مقارنة المواصفات

المعامل MMA1250EGR2 MMA1260EGR2
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة Motion Sensors Motion Sensors
حالة دورة الحياة آخر فرصة للشراء NRND
نوع المستشعر Accelerometer Accelerometer
Axis Z (perpendicular to package top) —
Full-Scale Range ±5 g —
نوع الخرج Analog, ratiometric Analog voltage (ratiometric)
Bandwidth 50 Hz (internal 2-pole low-pass filter) 50 Hz (2-pole low-pass filter)
Sensitivity [DATA_NEEDED: sensitivity in mV/g] 1140 mV/g to 1260 mV/g
Zero-g Output Approximately Vdd/2 (ratiometric) —
جهد التغذية 5.0 V nominal (per legacy MMA1250 datasheet typical conditions) 5.0 V (nominal)
تيار التغذية [DATA_NEEDED: quiescent current in mA] [DATA_NEEDED: typical supply current]
درجة حرارة التشغيل -40 C to +85 C (industrial grade) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة 16-SOIC (SOP-16), surface mount 16-pin SOIC (SOG)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Sensor Technology Micromachined silicon capacitive —
Internal Features Signal conditioning, 2-pole low-pass filter, temperature compensation, self-test —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: confirm per NXP product page] Compliant (per distributor listings)
Sensing Axis — Z
Acceleration Range — ±1.55 g
Output at 0 g — 2.5 V (nominal, ratiometric)
Self-Test — Yes (electrostatic force activation)
Zero-g Offset Drift — [DATA_NEEDED: zero-g offset over temperature]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر