MMA1250EGR2 vs MMA1260EGR2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MMA1250EGR2 tarafından NXP Semiconductors ve MMA1260EGR2 tarafından NXP SemiconductorsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

NXP Semiconductors
MMA1250EGR2 MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250EGR2 ⚠ Son Satın Alma

Özellik Karşılaştırması

Parametre MMA1250EGR2 MMA1260EGR2
Marka NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Kategori Motion Sensors Motion Sensors
Yaşam Döngüsü Durumu Son Alış Zamanı NRND
Duyarlılık Türü Accelerometer Accelerometer
Axis Z (perpendicular to package top) —
Full-Scale Range ±5 g —
Çıkış Türü Analog, ratiometric Analog voltage (ratiometric)
Bandwidth 50 Hz (internal 2-pole low-pass filter) 50 Hz (2-pole low-pass filter)
Sensitivity [DATA_NEEDED: sensitivity in mV/g] 1140 mV/g to 1260 mV/g
Zero-g Output Approximately Vdd/2 (ratiometric) —
Besleme Gerilimi 5.0 V nominal (per legacy MMA1250 datasheet typical conditions) 5.0 V (nominal)
Besleme Akımı [DATA_NEEDED: quiescent current in mA] [DATA_NEEDED: typical supply current]
İşletim Sıcaklığı -40 C to +85 C (industrial grade) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 16-SOIC (SOP-16), surface mount 16-pin SOIC (SOG)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Sensor Technology Micromachined silicon capacitive —
Internal Features Signal conditioning, 2-pole low-pass filter, temperature compensation, self-test —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: confirm per NXP product page] Compliant (per distributor listings)
Sensing Axis — Z
Acceleration Range — ±1.55 g
Output at 0 g — 2.5 V (nominal, ratiometric)
Self-Test — Yes (electrostatic force activation)
Zero-g Offset Drift — [DATA_NEEDED: zero-g offset over temperature]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin