MMA1250EGR2 vs MMA1260EGR2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MMA1250EGR2 द्वारा NXP Semiconductors और MMA1260EGR2 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

NXP Semiconductors
MMA1250EGR2 MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250EGR2 ⚠ अंतिम खरीद

विशेषता तुलना

पैरामीटर MMA1250EGR2 MMA1260EGR2
ब्रांड NXP Semiconductors NXP Semiconductors
श्रेणी Motion Sensors Motion Sensors
लाइफसाइकिल स्थिति अंतिम बार खरीदें NRND
सेंसर प्रकार Accelerometer Accelerometer
Axis Z (perpendicular to package top) —
Full-Scale Range ±5 g —
आउटपुट प्रकार Analog, ratiometric Analog voltage (ratiometric)
Bandwidth 50 Hz (internal 2-pole low-pass filter) 50 Hz (2-pole low-pass filter)
Sensitivity [DATA_NEEDED: sensitivity in mV/g] 1140 mV/g to 1260 mV/g
Zero-g Output Approximately Vdd/2 (ratiometric) —
सप्लाई वोल्टेज 5.0 V nominal (per legacy MMA1250 datasheet typical conditions) 5.0 V (nominal)
सप्लाई करंट [DATA_NEEDED: quiescent current in mA] [DATA_NEEDED: typical supply current]
ऑपरेटिंग तापमान -40 C to +85 C (industrial grade) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
पैकेज 16-SOIC (SOP-16), surface mount 16-pin SOIC (SOG)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Sensor Technology Micromachined silicon capacitive —
Internal Features Signal conditioning, 2-pole low-pass filter, temperature compensation, self-test —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: confirm per NXP product page] Compliant (per distributor listings)
Sensing Axis — Z
Acceleration Range — ±1.55 g
Output at 0 g — 2.5 V (nominal, ratiometric)
Self-Test — Yes (electrostatic force activation)
Zero-g Offset Drift — [DATA_NEEDED: zero-g offset over temperature]

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