MMA1250EGR2 vs MMA1260EGR2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של MMA1250EGR2 מאת NXP Semiconductors ו MMA1260EGR2 מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

NXP Semiconductors
MMA1250EGR2 MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250EGR2 ⚠ רכישה אחרונה

השוואת מפרטים

פרמטר MMA1250EGR2 MMA1260EGR2
מותג NXP Semiconductors NXP Semiconductors
קטגוריה Motion Sensors Motion Sensors
סטטוס מחזור חיים רכישה אחרונה NRND
סוג חיישן Accelerometer Accelerometer
Axis Z (perpendicular to package top) —
Full-Scale Range ±5 g —
סוג פלט Analog, ratiometric Analog voltage (ratiometric)
Bandwidth 50 Hz (internal 2-pole low-pass filter) 50 Hz (2-pole low-pass filter)
Sensitivity [DATA_NEEDED: sensitivity in mV/g] 1140 mV/g to 1260 mV/g
Zero-g Output Approximately Vdd/2 (ratiometric) —
מתח אספקה 5.0 V nominal (per legacy MMA1250 datasheet typical conditions) 5.0 V (nominal)
זרם אספקה [DATA_NEEDED: quiescent current in mA] [DATA_NEEDED: typical supply current]
טמפרטורת פעולה -40 C to +85 C (industrial grade) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
מארז 16-SOIC (SOP-16), surface mount 16-pin SOIC (SOG)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Sensor Technology Micromachined silicon capacitive —
Internal Features Signal conditioning, 2-pole low-pass filter, temperature compensation, self-test —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: confirm per NXP product page] Compliant (per distributor listings)
Sensing Axis — Z
Acceleration Range — ±1.55 g
Output at 0 g — 2.5 V (nominal, ratiometric)
Self-Test — Yes (electrostatic force activation)
Zero-g Offset Drift — [DATA_NEEDED: zero-g offset over temperature]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר