NT5CB256M16CP-DI vs NT5CB256M16CP-DII مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5CB256M16CP-DI بواسطة Nanya Technology و NT5CB256M16CP-DII بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ نشط
Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DII
العلامة التجارية Nanya Technology Nanya Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
التنظيم 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4Gb
جهد التغذية 1.35 V (DDR3L) —
معدل البيانات 1600 Mbps/pin (max) DDR3L-1600 (PC3L-12800)
العلبة TFBGA-96 96-ball FBGA (9mm x 13mm)
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) -40C to +95C (industrial)
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
زمن الوصول CAS — CL11
tCK (min) — 1.25 ns
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
الواجهة — SSTL-15
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر