NT5CB256M16CP-DI vs NT5CB256M16CP-DII 比較

詳細並排比較 NT5CB256M16CP-DI 由 Nanya Technology 與 NT5CB256M16CP-DII 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 啟用中
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NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII ✓ 啟用中

規格比較

參數 NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DII
品牌 Nanya Technology Nanya Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
單價 (USD) — $5.57
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
組織 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4Gb
供應電壓 1.35 V (DDR3L) —
資料速率 1600 Mbps/pin (max) DDR3L-1600 (PC3L-12800)
封裝 TFBGA-96 96-ball FBGA (9mm x 13mm)
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
工作溫度範圍 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) -40C to +95C (industrial)
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
CAS 延遲 — CL11
tCK (min) — 1.25 ns
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
介面 — SSTL-15
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C

資料表與資源

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