NT5CB256M16CP-DI vs NT5CB256M16CP-DII तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CB256M16CP-DI द्वारा Nanya Technology और NT5CB256M16CP-DII द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

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Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DII
ब्रांड Nanya Technology Nanya Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $5.57
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
संगठन 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4Gb
सप्लाई वोल्टेज 1.35 V (DDR3L) —
डेटा दर 1600 Mbps/pin (max) DDR3L-1600 (PC3L-12800)
पैकेज TFBGA-96 96-ball FBGA (9mm x 13mm)
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) -40C to +95C (industrial)
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
CAS लेटेंसी — CL11
tCK (min) — 1.25 ns
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
इंटरफ़ेस — SSTL-15
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C

डेटाशीट और संसाधन

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