NT5CC256M16CP-DII vs K4B4G1646E-BYMA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5CC256M16CP-DII بواسطة Nanya Technology و K4B4G1646E-BYMA بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT5CC256M16CP-DII | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $14.32 |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| معدل البيانات | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| العلبة | TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) | FBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | — |
| Density | — | 4 Gb |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| عدد الدبابيس | — | 96 |