NT5CC256M16CP-DII vs K4B4G1646E-BYMA השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של NT5CC256M16CP-DII מאת Nanya Technology ו K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | NT5CC256M16CP-DII | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| מותג | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $14.32 |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| קצב נתונים | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| מארז | TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) | FBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | — |
| Density | — | 4 Gb |
| טמפרטורת פעולה | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| מספר פינים | — | 96 |