NT5CC256M16CP-DII vs K4B4G1646E-BYMA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار NT5CC256M16CP-DII توسط Nanya Technology و K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | NT5CC256M16CP-DII | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| برند | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $14.32 |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| نرخ داده | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| بسته‌بندی | TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) | FBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +95°C | — |
| Density | — | 4 Gb |
| دمای کاری | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |