NT5CC256M16CP-DII vs K4B4G1646E-BYMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NT5CC256M16CP-DII sa pamamagitan ng Nanya Technology at K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | NT5CC256M16CP-DII | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Brand | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $14.32 |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Rate ng Data | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| Packhaging | TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) | FBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Temperature na Operasyon | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Latensya ng CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Bilang ng Pins | — | 96 |