NT5CC256M16CP-DII vs K4B4G1646E-BYMA Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil NT5CC256M16CP-DII dari Nanya Technology dan K4B4G1646E-BYMA dari Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DII NT5CC256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DII ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum NT5CC256M16CP-DII K4B4G1646E-BYMA
Merek Nanya Technology Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $14,32
Tipe Memori DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Organisasi 256M x 16 256M x 16
Total Density 4Gb —
Clock Frequency 800 MHz 933 MHz
Laju Data 1600 Mbps 1866 Mbps/pin
Tegangan Pemuat 1.35 V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Temperature Grade Industrial —
Paket TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) FBGA-96
Number of Terminals 96 —
Refresh Cycles 8192 —
Access Time 0.225 ns —
Technology CMOS —
RoHS Compliant Compliant
Bebas Halogen Yes —
Rentang Suhu Kerja -40°C to +95°C —
Density — 4 Gb
Suhu Kerja — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Tipe Mounting — Surface Mount
Latensi CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
Jumlah Pin — 96

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon