NT5CC256M16CP-DII vs K4B4G1646E-BYMA Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci NT5CC256M16CP-DII disebabkan oleh Nanya Technology dan K4B4G1646E-BYMA disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DII NT5CC256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DII ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr NT5CC256M16CP-DII K4B4G1646E-BYMA
Merek Nanya Technology Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $14.32
Jenis Ingatan DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Organisasi 256M x 16 256M x 16
Total Density 4Gb —
Clock Frequency 800 MHz 933 MHz
Kadar Data 1600 Mbps 1866 Mbps/pin
Tegangan Pemberi Arus 1.35 V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Temperature Grade Industrial —
Kemasan TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) FBGA-96
Number of Terminals 96 —
Refresh Cycles 8192 —
Access Time 0.225 ns —
Technology CMOS —
RoHS Compliant Compliant
Boson Bebas Yes —
Gambaran Suhu Operasi -40°C to +95°C —
Density — 4 Gb
Suhu Operasi — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Jenis Pemasangan — Surface Mount
Latensi CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
Bilangan Pin — 96

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga