NT5CC256M16CP-DII vs K4B4G1646E-BYMA Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma NT5CC256M16CP-DII tarafından Nanya Technology ve K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DII NT5CC256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DII ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre NT5CC256M16CP-DII K4B4G1646E-BYMA
Marka Nanya Technology Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $14,32
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Total Density 4Gb —
Clock Frequency 800 MHz 933 MHz
Veri Hızı 1600 Mbps 1866 Mbps/pin
Besleme Gerilimi 1.35 V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Temperature Grade Industrial —
Paket TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) FBGA-96
Number of Terminals 96 —
Refresh Cycles 8192 —
Access Time 0.225 ns —
Technology CMOS —
RoHS Compliant Compliant
Klorürsüz Yes —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40°C to +95°C —
Density — 4 Gb
İşletim Sıcaklığı — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Montaj Türü — Surface Mount
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
Pin Sayısı — 96

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin